1. 產(chǎn)品概述

iTops PVD AlN 濺射系統(tǒng)，采用托盤(pán)形式，可兼容 2/4/6 英寸。

2. 設(shè)備用途/原理

iTops PVD AlN 濺射系統(tǒng)，采用托盤(pán)形式，可兼容 2/4/6 英寸，工藝溫度在 0~700℃之間。占地面積小，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，操作靈活，維修方便，設(shè)備穩(wěn)定，運(yùn)營(yíng)成本低。

3. 設(shè)備特點(diǎn)

晶圓尺寸  2/4/6 英寸兼容。適用材料氮化鋁。適用工藝氮化鋁緩沖層濺射。適用域化合物半導(dǎo)體。百科：?半導(dǎo)體濺射系統(tǒng)的原理主要是利用高能離子撞擊靶材，使靶材的原子或分子從表面逸出，并沉積在半導(dǎo)體基片上，形成一層薄膜。濺射技術(shù)可以分為多種類(lèi)型，包括直流濺射、交流濺射、反應(yīng)濺射和磁控濺射等，不同類(lèi)型的濺射技術(shù)適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景。例如，直流濺射適用于導(dǎo)電材料的鍍膜，而交流濺射則適用于導(dǎo)電性較差的材料。反應(yīng)濺射可以在濺射過(guò)程中引入反應(yīng)氣體，以形成特定的化合物薄膜。磁控濺射則通過(guò)加入磁場(chǎng)來(lái)控制電子的運(yùn)動(dòng)路徑，提高濺射效率和薄膜質(zhì)量。