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深硅刻蝕機PSE V300主要用于12英寸深硅刻蝕，同時兼具Bosch/Non-Bosch工藝，實現多工藝領域覆蓋。該機臺針對Bosch循環工藝方式采用專業先進的快速響應硬件配置及軟件流程控制，結合先進的工藝技術，可實現超高深寬比下良好的工藝性能，配置多腔平臺，滿足大產能量產使用需求。

深硅刻蝕機HSE P300主要用于12英寸硅刻蝕。采用Cluster結構布局，能夠減小占地，提升產能。系統主要由傳輸模塊、工藝模塊、灰區部件、電源柜等組成。可實現自動化地上下料及自動工藝。HSE M200主要用于4/6/8英寸深硅干法刻蝕工藝。可以配置手動及自動傳輸系統。產品配置高密度雙立體等離子體源，中心邊緣進氣，快速氣體切換，低頻脈沖下電極系統，可以實現高速、高深寬比及極小的側壁粗糙度。

SENTECH 集群系統包括等離子體蝕刻和/或沉積模塊、一個轉移室和一個真空負載鎖或盒式站。包括搬運機器人在內的轉移室有三到六個端口。最多可以使用兩個盒式磁帶站來提高吞吐量。

SENTECH AL 實時監測器是一種經過驗證的光學診斷工具，可實現單個 ALD 和 ALE 周期的超高分辨率。主要應用是在不破壞真空的情況下分析薄膜特性（生長速率、厚度、折射率以及蝕刻速率），在短時間內開發新工藝，以及實時研究 ALD 和 ALE 周期期間的反應機理。

SENTECH SI 500 CCP 系統使用動態溫度控制和氦背冷卻，代表了材料蝕刻靈活性的優勢。等離子體蝕刻過程中的襯底溫度設置和穩定性是高質量蝕刻的嚴格標準。具有動態溫度控制功能的襯底電極與氦氣背面冷卻和晶圓背面溫度傳感相結合，可在很寬的溫度范圍內提供出色的工藝條件。

SENTECH SI 591 緊湊型 RIE 等離子蝕刻系統具有負載鎖定功能，是氯基和氟基 RIE 的緊湊型解決方案。